通過傳統(tǒng)方法制備碳化硅涉及相當(dāng)大的能量和經(jīng)濟(jì)成本，因此尋找合成的替代技術(shù)具有重要意義。碳納米材料作為碳源被積極地研究以降低合成溫度。通過干燥液滴和從短（1-500nm）碳納米管和納米（-7nm）無定形二氧化硅的膠體溶液中獲得的結(jié)構(gòu)的形態(tài)，元素組成和晶體結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果。
  
  在某些初始組分的臨界濃度下顯示出棒狀結(jié)構(gòu)的形成；發(fā)現(xiàn)干燥液滴的動(dòng)態(tài)條件決定了在室溫下棒狀結(jié)構(gòu)的合成比在高壓釜中在約180℃的溫度下大2-3倍。樣品的元素分析顯示出高百分比的碳和硅原子。通過X射線衍射法揭示了棒狀結(jié)構(gòu)中多型4-HSiC相的存在。
  
  基于數(shù)值計(jì)算，提供了短碳納米管的活性帶電中心的模型，其提供了Si-C，Si-O-C和C-Si-O-C共價(jià)鍵形成的可能性。干燥液滴法適用于以^小能耗快速（10-20分鐘）局部合成少量棒狀結(jié)構(gòu)。高壓釜允許長(zhǎng)時(shí)間（幾天）合成克數(shù)。與實(shí)際中廣泛使用的方法相比，這兩種方法都是低溫的。